K4G41325FE-HC28

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4G41325FE-HC28
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 GDDR5 SDRAM
IC代碼 128MX32 GDDR5
共通IC編號 K4G41325FE-HC28000
K4G41325FE-HC28T00

產品詳情

脚位/封装 FBGA-170
外包裝 TRAY
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.35V/1.5V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 1.75 GHZ
標準包裝數量
標準外箱
Bit Organization x32
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4G41325FE-HC28000 18,152 1922 索取報價
K4G41325FE-HC28000 100,000+ 1922 索取報價
K4G41325FE-HC28 37,030 索取報價
K4G41325FE-HC28000 100,000+ 1922 索取報價
K4G41325FE-HC28000 100,000+ 1922 索取報價
K4G41325FE-HC28000 100,000+ 1922 索取報價
K4G41325FE-HC28000 9,359 索取報價
K4G41325FE-HC28000 100,000+ 1922 索取報價
K4G41325FE-HC28000 100,000+ 1922 索取報價
K4G41325FE-HC28000 3,987 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4G41325FB-HC28 FBGA-170 1.35V/1.5V 1.75 GHZ 0 C~+85 C
K4G41325FC-HC28 FBGA-170 1.35V/1.5V 1.75 GHZ 0 C~+85 C
K4G41325FC-HC28 C DIE FBGA-170 1.35V/1.5V 1.75 GHZ 0 C~+85 C
K4G41325FE-HC28 D5 FBGA-170 1.35V/1.5V 1.75 GHZ 0 C~+85 C