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製造商IC編號 | K4H510838B-LCCC |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR1 SDRAM |
IC代碼 | 64MX8 DDR1 |
脚位/封装 | TSOP2(66) |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 2.5 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 200 MHZ |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x8 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 3rd Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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K4H510838J-LCCC000 | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
K4H510838J-LCCC0000 | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
K4H510838J-LCCCT | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
K4H510838J-LCCCT00 | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
K4H510838J-LLCC | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
K4H510838MTCCC | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
K4H510838N-LCCC | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
K4H51083G-LCCC | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |