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製造商IC編號 | K4H510838C-ULCC |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR1 SDRAM |
IC代碼 | 64MX8 DDR1 |
脚位/封装 | TSOP2(66) |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 2.5 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 200 MHZ |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x8 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 4th Generation |
Power | Low Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4H510838C-ULCC | 1,478 | 2007+ | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
IS43R86400D -5T | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R86400D-5 | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R86400D-5TL | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R86400D-5TL | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R86400D-5TL-TR | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R86400E -5T | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R86400E-5TL | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R86400E-5TL-TR | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R86400F -5T | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
IS43R86400F-5TL | TSOP2(66) | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |