圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4H510838HUCB3 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR1 SDRAM |
IC代碼 | 64MX8 DDR1 |
脚位/封装 | FBGA-60 |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 含鉛 |
電壓(伏) | 2.5 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 166 MHZ |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x8 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 9th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4H510838HUCB3 | 4,000 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
K4H510838G-HCB3TCV | FBGA-60 | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |
K4H510838G-HCCC/B3 | FBGA-60 | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |
K4H510838G-HLB3 | FBGA-60 | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |
K4H510838G-LLB3 | FBGA-60 | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |
K4H510838JLCB3TCV | FBGA-60 | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |
K4H510838M-GCB3 | FBGA-60 | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V64M8BN-6:F | FBGA-60 | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V64M8BN-6F | FBGA-60 | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V64M8FN-6:F | FBGA-60 | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V64M8FN-6F | FBGA-60 | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |