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製造商IC編號 | K4H511638D-HCCC |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR1 SDRAM |
IC代碼 | 32MX16 DDR1 |
脚位/封装 | FBGA-60 |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 含鉛 |
電壓(伏) | 2.5 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 200 MHZ |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 32M |
Bit Organization | x16 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 5th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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MT46V32M16BN-5B ES:J | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16BN-5B IT:F-XYZ | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16BN-5B OR 6B | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16BN-5B:C | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16CV-5B | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16CV-5B ES:J | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16CV-5B IT ES:J | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16CV-5B IT:J | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16CV-5B IT:J TR | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
MT46V32M16CV-5B:J | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |