圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4H561632F-UCCC |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR1 SDRAM |
| IC代碼 | 4H561632 |
| 脚位/封装 | TSOP2 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 2.5 V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 200 MHZ |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 16M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 256M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 7th Generation |
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4H561632F-UCCC | 10,000 | 05+ | 索取報價 |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| L256M16DDR400B-E | TSOP2 | 2.5 V |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| K4H561632H-UCCC | TSOP2 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
| K4H561632H-UCCCT | TSOP2 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |
| K4H561632HUCCCT00 | TSOP2 | 2.5 V | 200 MHZ | 0 C~+85 C |