圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4H561638H-UPB0 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR1 SDRAM |
IC代碼 | 16MX16 DDR1 |
脚位/封装 | TSOP2(66) |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 含鉛 |
電壓(伏) | 2.5 V |
溫度規格 | -40 C~+85 C |
速度 | 133 MHZ |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 16M |
Bit Organization | x16 |
Density | 256M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 9th Generation |
Power | Low Power |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
EDD2516KCTA-7ASI-E | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
EDD2516KCTA-7BSI-E | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
K4H561638D-TIB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
K4H561638H-UIB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
K4H561638J-UIB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |
K4H561638J-UPB0 | TSOP2(66) | 2.5 V | 133 MHZ | -40 C~+85 C |