K4S560832E-TC1H

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4S560832E-TC1H
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 SDRAM
IC代碼 32MX8 SD

產品詳情

脚位/封装 TSOP2(54)
外包裝
無鉛/環保 含鉛
電壓(伏) 3.3 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 100 MHZ
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4S560832A-1L000 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-1L1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC/L1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC1H / TC7 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC1H00 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC1H000 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC1HT00 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC1L00 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S560832A-TC1L000 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C