K4S563232F-HN75

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4S563232F-HN75
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 SDRAM
IC代碼 8MX32 SD

產品詳情

脚位/封装 FBGA
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 3.3 V
溫度規格 -40 C~+125 C
速度 133 MHZ
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 8M
Bit Organization x32
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR
Generation 7th Generation

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4S563232F-HN75 680 2009+ 索取報價
K4S563232F-HN75 50 2005 索取報價
K4S563232F-HN75 1,120 索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4S563233F-HN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S563233F-HN75 PB FREE FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S563233F-HN75000 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S563233F-HN750JR FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S563233F-HN75T00 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S563233FHN7500 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S56323FHN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C
K4S56323LF-HN75 FBGA 3.3 V 133 MHZ -40 C~+125 C