圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4T1G164QJ-BCE6 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR2 SDRAM |
| IC代碼 | 64MX16 DDR2 |
| 共通IC編號 | K4T1G164QJ-BCE6000 |
| K4T1G164QJ-BCE6T00 | |
| K4T1G164QJ-BCE6TCV |
| 脚位/封装 | FBGA-84 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.8 V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 667 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 64M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 1G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 11th Generation |
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4T1G164QJ-BCE6TCV | 0 | 索取報價 | |
| K4T1G164QJ-BCE6TCV | 2,000 | 索取報價 | |
| K4T1G164QJ-BCE6 | 2,000 | 19+ | 索取報價 |
| K4T1G164QJ-BCE6TCV | 22,000 | 18+ | 索取報價 |
| K4T1G164QJ-BCE6TCV | 10,000 | 18+ | 索取報價 |
| K4T1G164QJ-BCE6 | 4,000 | 100% NEW | 索取報價 |
| K4T1G164QJ-BCE6 | 10,000 | 索取報價 | |
| K4T1G164QJ-BCE6TCV | 4,000 | 索取報價 | |
| K4T1G164QJ-BCE6TCV | 28,000 | 索取報價 | |
| K4T1G164QJ-BCE6 | 38,000 | 索取報價 |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| EM68C16CWQD-3H | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| EM68C16CWQE-3H | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| EM68C16CWVB-3H | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HYB18T1G160BF-3S | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HYB18T1G160C2C-3S | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HYB18T1G160C2F-3S | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HYB18T1G160C2FL-3S | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HYB18T1G160CF-3S | TFBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HYB18TC 1G160BF-3S | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
| HYB18TC1G1602F-3S | FBGA-84 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |