圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4T51083QE-CF7 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR2 SDRAM |
| IC代碼 | 64MX8 DDR2 |
| 脚位/封装 | FBGA-60 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.8 V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 800 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 64M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 512M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Low, i-TCSR & PASR & DS |
| Generation | 6th Generation |
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4T51083QE-CF7 | 10,000 | 索取報價 |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| H5PS5182FFP-S6CR | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5PS5182GFR-S5C 0.95 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5PS5182GFR-S6C 0.95 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5PS5182GFR-S6CR | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5PS5182KFR-S5CR | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5PS5182KFR-S6CR | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS12821AF-E3 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS12821AF-S5 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS12821AF-S6 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
| HY5PS12821AFP-E3 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |