K4T51083QE-ZCE6000/MJ/DE

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4T51083QE-ZCE6000/MJ/DE
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR2 SDRAM
IC代碼 64MX8 DDR2

產品詳情

脚位/封装 FBGA-60
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.8 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 667 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4T51083QE-ZCE6000/MJ/DE 10,000 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
HY5PS12821 CFP-Y5-C FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS12821AF-Y4 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS12821AF-Y5 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS12821AFP-Y4 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS12821AFP-Y5 FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS12821B-CFP-Y5-C FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS12821B/C/EFP-Y5- FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS12821B/C/EFP-Y5-T FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS12821B/CFP-Y5-T FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS12821B/CFP-Y5-T/-C FBGA-60 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C