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製造商IC編號 | K4T51083QG-HCE6/HCE7 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR2 SDRAM |
IC代碼 | 64MX8 DDR2 |
脚位/封装 | FBGA-60 |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.8 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 667 MBPS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x8 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 8th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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MT47H64M8BT-37V | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H64M8BT-37V ES | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H64M8BT-37V ES:A | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H64M8BT-37V:A | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H64M8BT-3:A | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H64M8BT-3E ES:A | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H64M8BT-3E:A | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H64M8BT37EA | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H64M8CB-3 | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
MT47H64M8CB-3 ES:B | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |