圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4T51083QG-HCF/E7000 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR2 SDRAM |
IC代碼 | 64MX8 DDR2 |
脚位/封装 | FBGA-60 |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.8 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 800 MBPS |
標準包裝數量 | 1280 |
標準外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x8 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 8th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4T51083QG-HCF/E7000 | 10,000 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
HYB18T512800CF-25F | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800TC-5 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800TC-7.5 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800TCL-5 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800TCL-7.5 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800TF-5 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800TF-7.5 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800TFL-5 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18T512800TFL-7.5 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18TC512800B2F-2.5 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |