圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4T51083QN-BCE6 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR2 SDRAM |
IC代碼 | 64MX8 DDR2 |
脚位/封装 | FBGA-60 |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.8 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 667 MBPS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x8 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 14th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4T51083QN-BCE6 | 0 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
HYB18T512800TFL-3 | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18TC512800B2F-3 | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18TC512800B2F-3S | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18TC512800BF-3 | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
HYB18TC512800BF-3S | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR86400B-37C, -3D | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR86400B-3D | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR86400B-3DBL | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR86400C-3DB | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |
IS43DR86400C-3DBL | FBGA-60 | 1.8 V | 667 MBPS | 0 C~+85 C |