圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4T51083QN-BCE7 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR2 SDRAM |
IC代碼 | 64MX8 DDR2 |
共通IC編號 | K4T51083QN-BCE70 |
K4T51083QN-BCE7000 | |
K4T51083QN-BCE70CV | |
K4T51083QN-BCE7T00 | |
K4T51083QN-BCE7TCV |
脚位/封装 | FBGA-60 |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.8 V |
溫度規格 | 0 C~+95 C |
速度 | 800 MBPS |
標準包裝數量 | 1280 |
標準外箱 | |
Number Of Words | 64M |
Bit Organization | x8 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 14th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4T51083QN-BCE7000 | 100,000 | 索取報價 | |
K4T51083QN-BCE7000 | 12,800 | WITHIN 2 Y | 索取報價 |
K4T51083QN-BCE7000 | 12,800 | 22+ | 索取報價 |
K4T51083QN-BCE7000 | 100,000+ | 21+ | 索取報價 |
K4T51083QN-BCE7 | 20,480 | 索取報價 | |
K4T51083QN-BCE7 | 103 | 索取報價 | |
K4T51083QN-BCE7 | 20,480 | WITHIN 2 Y | 索取報價 |
K4T51083QN-BCE7 | 2,569 | 索取報價 | |
K4T51083QN-BCE7000 | 100,000+ | 索取報價 | |
K4T51083QN-BCE7000 | 100,000+ | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
K4T51083QQ-BCE7000 | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
AS4C64M8D2-25BCN | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
AS4C64M8D2-25BCNTR | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE5108AGBG-8E-E | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE5108AHBG-8E-E | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE5108AHSE-8E-E | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE5108AJBG-8E-E | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE5108AJSE-8E-E | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE5108ESK-6C-E | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
H5PS5182FFP-S5C | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
H5PS5182FFP-S5C-C | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |