K4T51163QG-BCF8000
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4T51163QG-BCF8000 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR2 SDRAM |
| IC代碼 | 32MX16 DDR2 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-84 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.8 V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 1066 MBPS |
| 標準包裝數量 | 1280 |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 32M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 512M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 8th Generation |
供應鏈有貨
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4T51163QG-BCF8000 | 10,000 | 索取報價 |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| EM68B16CWPA-18H | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5PS5162FFR-G7CR | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5PS5162GFR-G7CR | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5PS5162KFR-G7CR | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| HXB18T512160BF(L)-19F | TFBGA-84 | 1.8V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| HYB18TC512160CF-1.9 | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T511638D-UCB3 | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T511638I-HCF8 | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T51163QE-HCF8 | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4T51163QG-HCF8 | FBGA-84 | 1.8 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |