K4T51163QI-HLE6

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4T51163QI-HLE6
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR2 SDRAM
IC代碼 32MX16 DDR2

產品詳情

脚位/封装 FBGA-84
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.8 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 667 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 10th Generation
Power Low Power

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4T51163QI-HLE6 2,000 2010+ 索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
MT47H32M16NF-25E ES:H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H32M16NF-25E H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H32M16NF-25E-H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H32M16NF-25E:H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H32M16NF-25E:H TR FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H32M16NF-25E:H TR FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H32M16NF-25E:M FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H32M16NF-25E:M TR FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
MT47H32M16NF-25TRE IT:H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C TO +85 C
MT47H32M16NR-25E :H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C