圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4T51163QJ-BCE7 1280EA |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR2 SDRAM |
IC代碼 | 32MX16 DDR2 |
脚位/封装 | FBGA-84 |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.8 V |
溫度規格 | 0 C~+85 C |
速度 | 800 MBPS |
標準包裝數量 | 1280 |
標準外箱 | |
Number Of Words | 32M |
Bit Organization | x16 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 11th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4T51163QJ-BCE7 1280EA | 0 | 12+ | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
K4T51163QJ-BCF7: | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T51163QJ-BCF7FBGA84 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T51163QJ-BCF7T00 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T51163QJ-BCV7 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T51163QJ-DCF7 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T51163QJ-HCE7 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T51163QJ-HCF7 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T51163QJ-HCF7T | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T51163QN-BCE70 | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
K4T51163QN-BCE70AC | FBGA-84 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |