圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4U6E3S4AA-MGCR |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | LPDDR4X SDRAM |
IC代碼 | 512MX32 LPDDR4 |
脚位/封装 | FBGA-200 |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.1 V |
溫度規格 | -25 C~+85 C |
速度 | 4266 MBPS |
標準包裝數量 | 1280 |
標準外箱 |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4U6E3S4AA-MGCR | 20,480 | 索取報價 | |
K4U6E3S4AA-MGCR | 6,400 | 22+ | 索取報價 |
K4U6E3S4AA-MGCR | 25,600 | 23+ | 索取報價 |
K4U6E3S4AA-MGCR | 20,000 | 23+ | 索取報價 |
K4U6E3S4AA-MGCR | 20,480 | WITHIN 2 Y | 索取報價 |
K4U6E3S4AA-MGCR | 10,000 | 23+ | 索取報價 |
K4U6E3S4AA-MGCR | 20,000 | 2023+ | 索取報價 |
K4U6E3S4AA-MGCR | 20,000 | 索取報價 | |
K4U6E3S4AA-MGCR | 2,000 | 20+ | 索取報價 |
K4U6E3S4AA-MGCR | 12,800 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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K4U6E3S4AM-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4U6E3S4AM-MHCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4U6E3S4AM-TFCL03V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4UHE3D4AB-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4UHE3D4AB-MGCL0 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4UHE3D4AB-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4UHE3D4AB-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
MT53E512M32D1ZW-046WT | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
MT53E512M32D1ZW-046WT:BT | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C(WIR |