圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K9K4G08QOM-YIBO |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | FLASH-NAND |
| IC代碼 | 512MX8 NAND SLC |
| 脚位/封装 | TSOP-48 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 含鉛 |
| 電壓(伏) | 1.8 V |
| 溫度規格 | -40 C~+85 C |
| 速度 | 25 NS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 512M |
| Bit Organization | x8 |
| Density | 4G |
| Pre Prog Version | Serial |
| Generation | 1st Generation |
| Classification | SLC DDP |
| Cust Bad Block | Include Bad Block |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| IS35MW04G084-TLA1 | TSOP-48 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| IS35MW04G084-TLA1-TR | TSOP-48 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| MX30UF4G28AD-TI | TSOP-48 | 1.70 V~1.95 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TC58NYG2S3ETAI0 | TSOP-48 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
| TC58NYG2S3ETAI0B3H | TSOP-48 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |