圖片僅供參考
製造商IC編號 | K9K4G08QOM-YIBO |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | FLASH-NAND |
IC代碼 | 512MX8 NAND SLC |
脚位/封装 | TSOP-48 |
外包裝 | TRAY |
無鉛/環保 | 含鉛 |
電壓(伏) | 1.8 V |
溫度規格 | -40 C~+85 C |
速度 | 25 NS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4G |
Generation | 1st Generation |
Pre Prog Version | Serial |
Classification | SLC DDP |
Cust Bad Block | Include Bad Block |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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IS35MW04G084-TLA1 | TSOP-48 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
IS35MW04G084-TLA1-TR | TSOP-48 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
TC58NYG2S3ETAI0 | TSOP-48 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
TC58NYG2S3ETAI0B3H | TSOP-48 | 1.8 V | 25 NS | -40 C~+85 C |