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制造商IC编号 | K4F6E3S4HM-MGCJ |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | LPDDR4 MOBILE |
IC代码 | 512MX32 LPDDR4 |
共通IC编号 | K4F6E3S4HM-MGCJ000 |
K4F6E3S4HM-MGCJ0JP | |
K4F6E3S4HM-MGCJT | |
K4F6E3S4HM-MGCJT00 |
脚位/封装 | FBGA-200 |
外包装 | TRAY |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.1 V |
温度规格 | -25 C~+85 C |
速度 | 3733 MBPS |
标准包装数量 | 1280 |
标准外箱 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
K4F6E304HB-MGCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
K4F6E304HB-MGCJ000 | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
K4F6E304HB-MGCJT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
H9HCNNNBPUMLHR-NME | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
H9HCNNNBPUMLHR-NMER | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-GGCJ000 | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
MT53E512M32D2NP-053RSWT:A | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
MT53E512M32D2NP-053RSWT:G | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:E | VFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F | VFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |