H5DU2562ETR-E3C

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H5DU2562ETR-E3C
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 16MX16 DDR1
Andere Bezeichnungen H5DU2562ETR-E3CR

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Operating Temperature commercial temperature(0°C~70°C) & normal power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 6th
No Of Banks 4 banks
Product Family DRAM
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H5DU2562ETR-E3C 10.000 Anfrage senden
H5DU2562ETR-E3C 10.000 2010 Anfrage senden
H5DU2562ETR-E3C 14 Anfrage senden
H5DU2562ETR-E3CR 26.000 Anfrage senden
H5DU2562ETR-E3C 10.000 2010+ Anfrage senden
H5DU2562ETR-E3C 0 Anfrage senden
H5DU2562ETR-E3C 30.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5DU2562GTR-E3CC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
H5DU2562GTR-E3CR TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
H5DU2562GTR-E3J TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
V58C2256164SAI5 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
V58C2256164SCI-5 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
V58C2256164SCI-5I TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
V58C2256164SHI-5 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
V58C2256164SII5 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C