H5DU5182ETR-E3R

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H5DU5182ETR-E3R
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 64MX8 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 6th
No Of Banks 4 banks
Product Family DRAM
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H5DU5182ETR-E3R 20.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDD5108ADTA-5B-E TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD5108ADTA5C TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD5108AETA-5B-E TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD5108AFTA-5B-E TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD5108AFTA-5B-E TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD5108AFTA5CE TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
H5DU51822ETRE3C TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
H5DU5182ETR-E3 TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
H5DU5182ETR-E3C TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
H5DU5182ETR-E3C TR TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C