H5DU5182ETR-E3R

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 H5DU5182ETR-E3R
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 DDR1 SDRAM
IC代码 64MX8 DDR1

产品详情

脚位/封装 TSOP2
外包装 TRAY
无铅/环保 含铅
电压(伏) 2.5 V
温度规格 0 C~+70 C
速度 200 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 6th
No Of Banks 4 banks
Product Family DRAM
Shipping Method tray

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
H5DU5182ETR-E3R 20,000 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
EDD5108ADTA-5B-E TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD5108ADTA5C TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD5108AETA-5B-E TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD5108AFTA-5B-E TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD5108AFTA-5B-E TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD5108AFTA5CE TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
H5DU51822ETRE3C TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
H5DU5182ETR-E3 TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
H5DU5182ETR-E3C TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
H5DU5182ETR-E3C TR TSOP2 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C