H5TC4G63EFR-RDN

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H5TC4G63EFR-RDN
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR3L
Andere Bezeichnungen H5TC4G63EFR-RDN R

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
No Of Banks 8 banks
Die Generation 6th
Product Family DRAM
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H5TC4G63EFR-RDN 508 1919 Anfrage senden
H5TC4G63EFR-RDN 10.000 Anfrage senden
H5TC4G63EFR-RDN R 0 Anfrage senden
H5TC4G63EFR-RDN 5.009 Anfrage senden
H5TC4G63EFR-RDN 100 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B4G1646D-BFMAT3V FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C