H5TC4G63EFR-RDN
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | H5TC4G63EFR-RDN |
| 廠牌 | SK HYNIX/海力士 |
| IC 類別 | DDR3L SDRAM |
| IC代碼 | 256MX16 DDR3L |
| 共通IC編號 | H5TC4G63EFR-RDN R |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.35V |
| 溫度規格 | |
| 速度 | 1866 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 4G |
| Package Material | lead & halogen free(ROHS compliant) |
| Hynix Memory | H |
| No Of Banks | 8 banks |
| Die Generation | 6th |
| Product Family | DRAM |
| Shipping Method | tray |
可替代IC編號
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| K4B4G1646D-BFMAT3V | FBGA-96 | 1.35V | 1866 MBPS | -40 C~+95 C |