H5TQ4G63EFR-RDJ

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer H5TQ4G63EFR-RDJ
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie LPDDR3 SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur -40 C~+95 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Operating Temperature Industrial Temp2) & Low Power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 6th
No Of Banks 8 banks
Product Family DRAM
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H5TQ4G63EFR-RDJ 11.200 Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDJ 54.324 Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDJ 111 2203+ Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDJ 536 Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDJ 98 Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDJ 1.149 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS43TR16256BL-15HBLI-TR BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256EC-107NBA1 FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256ECL-107NBA1 BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G1646D-BFMA-P4-A FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G1646DBMFA FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G1646E-BMMA0EC FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G1646E-BMMATEC FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C
NT5CB256M16DP-EKI TFBGA-96 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+95 C