H5TQ4G63EFR-RDK

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H5TQ4G63EFR-RDK
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR3
Andere Bezeichnungen H5TQ4G63EFR-RDKR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur -40 C~+105 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Operating Temperature Automotive Temp3) & Normal Power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
No Of Banks 8 banks
Die Generation 6th
Product Family DRAM
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H5TQ4G63EFR-RDK 1.761 Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDK 8.960 2025+ Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDK 2.444 2148＋ Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDK 98 2313＋ Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDK 420 2316＋ Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDK 2.670 2314＋ Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDK 1.978 2315＋ Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDK 11.200 Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDK 7.610 Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-RDK 10.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5TQ4G63AFR-RDCSK FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+105 C
IS46TR16256A-107MBLA2 BGA-96 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+105 C
IS46TR16256A-107MBLA2-TR BGA-96 1.5 V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16HA-107 AAT ES:E FBGA-96 1.35 V/1.5 V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16HA-107 AAT:E FBGA-96 1.35 V/1.5 V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16TVV-107 AAT:P FBGA-96 1.35 V/1.5 V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16TW-107 AAT ES:P FBGA-96 1.35 V/1.5 V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16TW-107 AAT:P FBGA-96 1.35 V/1.5 V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16TW-107 AAT:P D FBGA-96 1.35 V/1.5 V 1866 MBPS -40 C~+105 C
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR FBGA-96 1.35 V/1.5 V 1866 MBPS -40 C~+105 C