H9HCNNN8KUMLHR-NLN/MI/MO

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Hersteller-Nummer H9HCNNN8KUMLHR-NLN/MI/MO
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie LPDDR4 SDRAM
IC-Code 256MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -40 C~+105 C
Geschwindigkeit 3733 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 8Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H9HCNNN8KUMLHR-NMO FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
IS46LQ32256B-053BLA2 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
IS46LQ32256B-053BLA2-TR FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
K4F8E3S4HD-GHC FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
K4F8E3S4HD-GHCL02S000 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
K4F8E3S4HD-GHCL02V FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
K4F8E3S4HD-GHCL02VBT FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
K4F8E3S4HD-GHCLT2V FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
MT53D256M32D2DS-053 AAT ES:B WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
MT53D256M32D2DS-053 AAT:B WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C