H9HCNNN8KUMLHR-NLN/MI/MO

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 H9HCNNN8KUMLHR-NLN/MI/MO
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 LPDDR4 SDRAM
IC代码 256MX32 LPDDR4

产品详情

脚位/封装 FBGA-200
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.1 V
温度规格 -40 C~+105 C
速度 3733 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 8Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H9HCNNN8KUMLHR-NMO FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
IS46LQ32256B-053BLA2 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
IS46LQ32256B-053BLA2-TR FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
K4F8E3S4HD-GHC FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
K4F8E3S4HD-GHCL02S000 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
K4F8E3S4HD-GHCL02V FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
K4F8E3S4HD-GHCL02VBT FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
K4F8E3S4HD-GHCLT2V FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
MT53D256M32D2DS-053 AAT ES:B WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
MT53D256M32D2DS-053 AAT:B WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C