K4F8E3S4HD-GHCLT2V
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4F8E3S4HD-GHCLT2V |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | LPDDR4 MOBILE |
| IC代码 | 256MX32 LPDDR4 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.1 V |
| 温度规格 | -40 C~+95 C |
| 速度 | 1866 MHZ |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 |
可替代IC编号
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K4F6E3S4HB-KHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K4F8E3S4HB-MFCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HB-MFCJ03V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HB-MHCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GFCL | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GFCL03N | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GFCL03V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GFCLT3V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GHCL | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GHCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |