K4F8E3S4HD-GHCLT2V
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4F8E3S4HD-GHCLT2V |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | LPDDR4 MOBILE |
| IC代碼 | 256MX32 LPDDR4 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.1 V |
| 溫度規格 | -40 C~+95 C |
| 速度 | 1866 MHZ |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 |
可替代IC編號
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| K4F6E3S4HB-KHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| K4F8E3S4HB-MFCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HB-MFCJ03V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HB-MHCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GFCL | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GFCL03N | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GFCL03V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GFCLT3V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GHCL | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
| K4F8E3S4HD-GHCL02V | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |