H9HCNNN8KUMLHR-NLN

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer H9HCNNN8KUMLHR-NLN
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie LPDDR4 SDRAM
IC-Code 256MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -40 C~+95 C
Geschwindigkeit 3200 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 8Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 0 Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 10.000 Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 10.000 2022+ Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 100.000 Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 9.600 Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 182 1810+ Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 12.000 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1DS-062 IT:C WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1GZ-062 AIT WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1GZ-062 AIT ES:B WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1GZ-062AIT:B WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1NP-062AIT:C WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C