H9HCNNN8KUMLHR-NLN

产品概述

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制造商IC编号 H9HCNNN8KUMLHR-NLN
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 LPDDR4 SDRAM
IC代码 256MX32 LPDDR4

产品详情

脚位/封装 FBGA-200
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.1 V
温度规格 -40 C~+95 C
速度 3200 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 8Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 0 索取报价
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 10,000 索取报价
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 10,000 2022+ 索取报价
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 100,000 索取报价
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 9,600 索取报价
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 182 1810+ 索取报价
H9HCNNN8KUMLHR-NLN 12,000 索取报价

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1DS-062 IT:C WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1GZ-062 AIT WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1GZ-062 AIT ES:B WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1GZ-062AIT:B WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B256M32D1NP-062AIT:C WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C