H9HCNNNBPUMLHR-NLN

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Hersteller-Nummer H9HCNNNBPUMLHR-NLN
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie LPDDR4 SDRAM
IC-Code 512MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -40 C~+95 C
Geschwindigkeit 3200 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS
Nvm Speed none

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
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Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H9HCNNNBPUMNLHR-NLN FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C-TR WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2GZ-062 AIT WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2GZ-062 AIT ES:B WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2GZ-062AIT:B WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C