H9HCNNNBPUMLHR-NLN

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 H9HCNNNBPUMLHR-NLN
廠牌 SK HYNIX/海力士
IC 類別 LPDDR4 SDRAM
IC代碼 512MX32 LPDDR4

產品詳情

脚位/封装 FBGA-200
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.1 V
溫度規格 -40 C~+95 C
速度 3200 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS
Nvm Speed none

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
H9HCNNNBPUMLHR-NLN 1,000 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLN 0 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLN 4,460 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLN 1,442 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLN 7,855 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLN 4,950 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLN 4,975 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NLN 4,967 索取報價

可替代IC編號

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
H9HCNNNBPUMNLHR-NLN FBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C-TR WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2GZ-062 AIT WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2GZ-062 AIT ES:B WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2GZ-062AIT:B WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -40 C~+95 C