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Hersteller-Nummer | H9HCNNNBPUMLHR-NME |
Hersteller | SK HYNIX |
Produktkategorie | LPDDR4 SDRAM |
IC-Code | 512MX32 LPDDR4 |
Gehäuse | FBGA-200 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.1 V |
Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 3733 MBPS |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Generation | 1st |
Package Material | Lead & Halogen Free |
Hynix Memory | H |
Product Mode | LPDDR4 Only |
Dram Voltage | 1.1V/1.1V,LPDDR4 |
Nvm Option | None |
Dram Density | 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS |
Nvm Speed | none |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
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H9HCNNNBPUMLHR-NME | 12.000 | Anfrage senden | |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 10.080 | 2020+ | Anfrage senden |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 0 | Anfrage senden | |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 7.500 | 20+ | Anfrage senden |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 10.080 | DC2020+ | Anfrage senden |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 10.000 | Anfrage senden | |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 135 | 18+ | Anfrage senden |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 9.600 | Anfrage senden | |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 4.000 | Anfrage senden | |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 4.800 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:E | VFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F | VFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |