H9HCNNNBPUMLHR-NME

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H9HCNNNBPUMLHR-NME
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie LPDDR4 SDRAM
IC-Code 512MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 3733 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Generation 1st
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS
Nvm Speed none

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H9HCNNNBPUMLHR-NME 12.000 Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NME 10.080 2020+ Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NME 0 Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NME 7.500 20+ Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NME 10.080 DC2020+ Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NME 10.000 Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NME 135 18+ Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NME 9.600 Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NME 4.000 Anfrage senden
H9HCNNNBPUMLHR-NME 4.800 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H9HCNNNBPUMLHR-NMER FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-GGCJ000 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-MGCJ FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-MGCJ000 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-MGCJ0JP FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-MGCJT FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-MGCJT00 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-MGCL FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
MT53E512M32D2NP-053RSWT:A WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
MT53E512M32D2NP-053RSWT:G WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C