H9HCNNNBPUMLHR-NME
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | H9HCNNNBPUMLHR-NME |
| 厂牌 | SK HYNIX/海力士 |
| IC 类别 | LPDDR4 SDRAM |
| IC代码 | 512MX32 LPDDR4 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.1 V |
| 温度规格 | -25 C~+85 C |
| 速度 | 3733 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Generation | 1st |
| Package Material | Lead & Halogen Free |
| Hynix Memory | H |
| Product Mode | LPDDR4 Only |
| Dram Voltage | 1.1V/1.1V,LPDDR4 |
| Nvm Option | None |
| Dram Density | 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS |
| Nvm Speed | none |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| H9HCNNNBPUMLHR-NME | 12,000 | 索取报价 | |
| H9HCNNNBPUMLHR-NME | 10,080 | 2020+ | 索取报价 |
| H9HCNNNBPUMLHR-NME | 0 | 索取报价 | |
| H9HCNNNBPUMLHR-NME | 7,500 | 20+ | 索取报价 |
| H9HCNNNBPUMLHR-NME | 10,080 | DC2020+ | 索取报价 |
| H9HCNNNBPUMLHR-NME | 10,000 | 索取报价 | |
| H9HCNNNBPUMLHR-NME | 135 | 18+ | 索取报价 |
| H9HCNNNBPUMLHR-NME | 9,600 | 索取报价 | |
| H9HCNNNBPUMLHR-NME | 4,000 | 索取报价 | |
| H9HCNNNBPUMLHR-NME | 4,800 | 索取报价 |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| H9HCNNNBPUMLHR-NMER | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-GGCJ000 | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-MGCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-MGCJ000 | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-MGCJ0JP | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-MGCJT | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-MGCJT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E512M32D2NP-053RSWT:A | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E512M32D2NP-053RSWT:G | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |