K4F6E3S4HM-MGCJ
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4F6E3S4HM-MGCJ |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | LPDDR4 MOBILE |
| IC代码 | 512MX32 LPDDR4 |
| 共通IC编号 | K4F6E3S4HM-MGCJ000 |
| K4F6E3S4HM-MGCJ0JP | |
| K4F6E3S4HM-MGCJT | |
| K4F6E3S4HM-MGCJT00 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.1 V |
| 温度规格 | -25 C~+85 C |
| 速度 | 3733 MBPS |
| 标准包装数量 | 1280 |
| 标准外箱 |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4F6E3S4HM-MGCJ | 5,120 | 索取报价 | |
| K4F6E3S4HM-MGCJ | 6,000 | 23+ | 索取报价 |
| K4F6E3S4HM-MGCJ | 6,000 | 索取报价 | |
| K4F6E3S4HM-MGCJ000 | 1,310 | 索取报价 | |
| K4F6E3S4HM-MGCJ | 985 | 索取报价 | |
| K4F6E3S4HM-MGCJ | 10,000 | DC23+ | 索取报价 |
| K4F6E3S4HM-MGCJ | 10,240 | 索取报价 | |
| K4F6E3S4HM-MGCJ | 20,000 | 索取报价 | |
| K4F6E3S4HM-MGCJ | 12,800 | 23+ | 索取报价 |
| K4F6E3S4HM-MGCJ | 12,800 | 21+/23+ | 索取报价 |
可替代IC编号
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K4F6E304HB-MGCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
| K4F6E304HB-MGCJ000 | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
| K4F6E304HB-MGCJT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -25 C~+85 C |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| H9HCNNNBPUMLHR-NME | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| H9HCNNNBPUMLHR-NMER | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-GGCJ000 | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E512M32D2NP-053RSWT:A | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E512M32D2NP-053RSWT:G | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:E | VFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F | VFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |