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製造商IC編號 | H9HCNNNBPUMLHR-NME |
廠牌 | SK HYNIX/海力士 |
IC 類別 | LPDDR4 SDRAM |
IC代碼 | 512MX32 LPDDR4 |
脚位/封装 | FBGA-200 |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.1 V |
溫度規格 | -25 C~+85 C |
速度 | 3733 MBPS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Generation | 1st |
Package Material | Lead & Halogen Free |
Hynix Memory | H |
Product Mode | LPDDR4 Only |
Dram Voltage | 1.1V/1.1V,LPDDR4 |
Nvm Option | None |
Dram Density | 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS |
Nvm Speed | none |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 12,000 | 索取報價 | |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 10,080 | 2020+ | 索取報價 |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 0 | 索取報價 | |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 7,500 | 20+ | 索取報價 |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 10,080 | DC2020+ | 索取報價 |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 10,000 | 索取報價 | |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 135 | 18+ | 索取報價 |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 9,600 | 索取報價 | |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 4,000 | 索取報價 | |
H9HCNNNBPUMLHR-NME | 4,800 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
H9HCNNNBPUMLHR-NMER | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-GGCJ000 | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCJ000 | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCJ0JP | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCJT | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCJT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
MT53E512M32D2NP-053RSWT:A | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
MT53E512M32D2NP-053RSWT:G | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |