H9HCNNNBPUMLHR-NME

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 H9HCNNNBPUMLHR-NME
廠牌 SK HYNIX/海力士
IC 類別 LPDDR4 SDRAM
IC代碼 512MX32 LPDDR4

產品詳情

脚位/封装 FBGA-200
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.1 V
溫度規格 -25 C~+85 C
速度 3733 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Generation 1st
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS
Nvm Speed none

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
H9HCNNNBPUMLHR-NME 12,000 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NME 10,080 2020+ 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NME 0 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NME 7,500 20+ 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NME 10,080 DC2020+ 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NME 10,000 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NME 135 18+ 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NME 9,600 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NME 4,000 索取報價
H9HCNNNBPUMLHR-NME 4,800 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
H9HCNNNBPUMLHR-NMER FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-GGCJ000 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-MGCJ FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-MGCJ000 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-MGCJ0JP FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-MGCJT FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-MGCJT00 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F6E3S4HM-MGCL FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
MT53E512M32D2NP-053RSWT:A WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
MT53E512M32D2NP-053RSWT:G WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C