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| Hersteller-Nummer | H9HCNNNBPUMLHR-NMN |
| Hersteller | SK HYNIX |
| Produktkategorie | LPDDR4 SDRAM |
| IC-Code | 512MX32 LPDDR4 |
| Gehäuse | FBGA-200 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.1 V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+95 C |
| Geschwindigkeit | 3733 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Package Material | Lead & Halogen Free |
| Hynix Memory | H |
| Product Mode | LPDDR4 Only |
| Generation | 1st |
| Dram Voltage | 1.1V/1.1V,LPDDR4 |
| Nvm Option | None |
| Dram Density | 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS |
| Nvm Speed | none |
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| H9HCNNNBPUMLHR-NMN | 0 | Anfrage senden | |
| H9HCNNNBPUMLHR-NMN | 10.000 | 18+ | Anfrage senden |
| H9HCNNNBPUMLHR-NMN | 9.600 | Anfrage senden |
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT53D512M32D2DS-053 AIT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| IS46LQ32512A-053BLA1 | TFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MFCH | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MFCJ | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MHCJ | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MHCJ000 | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MHCJ02V | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MHCJT2V | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT53D512M32D2DS-053AIT | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |