K4F6E3D4HB-MHCJ

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Hersteller-Nummer K4F6E3D4HB-MHCJ
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie LPDDR4 MOBILE
IC-Code 512MX32 LPDDR4
Andere Bezeichnungen K4F6E3D4HB-MHCJ000

Produktbeschreibung

Gehäuse WFBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -40 C~+95 C
Geschwindigkeit 3733 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4F6E3D4HB-MHCJ000 0 Anfrage senden
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Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H9HCNNNBPUMLHR-NMN FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
IS46LQ32512A-053BLA1 TFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F6E3D4HB-MFCH WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F6E3D4HB-MFCJ WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F6E3D4HB-MHCJ02V WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
K4F6E3D4HB-MHCJT2V WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C
MT53D512M32D2DS-053AIT WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+95 C