Bilder dienen nur der Illustration
Hersteller-Nummer | K4F6E3D4HB-MHCJ |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | LPDDR4 MOBILE |
IC-Code | 512MX32 LPDDR4 |
Gehäuse | WFBGA-200 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.1 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+95 C |
Geschwindigkeit | 1866 MHZ |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K4F6E3D4HB-MHCJ | 4.921 | Anfrage senden | |
K4F6E3D4HB-MHCJ | 5.000 | 1813 | Anfrage senden |
K4F6E3D4HB-MHCJ | 5.000 | 17+ | Anfrage senden |
K4F6E3D4HB-MHCJ | 6.175 | Anfrage senden | |
K4F6E3D4HB-MHCJ | 5.033 | 2年内 | Anfrage senden |
K4F6E3D4HB-MHCJ | 5.033 | Anfrage senden | |
K4F6E3D4HB-MHCJ | 5.293 | Anfrage senden | |
K4F6E3D4HB-MHCJ | 260 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
K4F6E3D4HB-MFCJ | WFBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |
K4F6E3D4HB-MHCJT2V | WFBGA-200 | 1.1 V | 1866 MHZ | -40 C~+95 C |