圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4F6E3D4HB-MHCJ |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | LPDDR4 MOBILE |
| IC代碼 | 512MX32 LPDDR4 |
| 共通IC編號 | K4F6E3D4HB-MHCJ000 |
| 脚位/封装 | WFBGA-200 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.1 V |
| 溫度規格 | -40 C~+95 C |
| 速度 | 3733 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| MT53D512M32D2DS-053 AAT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| H9HCNNNBPUMLHR-NMN | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| IS46LQ32512A-053BLA1 | TFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MFCH | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MFCJ | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MHCJ02V | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MHCJT2V | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT53D512M32D2DS-053 AIT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT53D512M32D2DS-053AIT | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |