K4F6E3D4HB-MHCJ

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号	K4F6E3D4HB-MHCJ
厂牌	SAMSUNG/三星
IC 类别	LPDDR4 MOBILE
IC代码	512MX32 LPDDR4

产品详情

脚位/封装	WFBGA-200
外包装
无铅/环保	无铅/环保
电压(伏)	1.1 V
温度规格	-40 C~+95 C
速度	1866 MHZ
标准包装数量
标准外箱

供应链有货

IC 编号	数量	生产年份
K4F6E3D4HB-MHCJ	4,921		索取报价
K4F6E3D4HB-MHCJ	5,000	1813	索取报价
K4F6E3D4HB-MHCJ	5,000	17+	索取报价
K4F6E3D4HB-MHCJ	6,175		索取报价
K4F6E3D4HB-MHCJ	5,033	2年内	索取报价
K4F6E3D4HB-MHCJ	5,033		索取报价
K4F6E3D4HB-MHCJ	5,293		索取报价
K4F6E3D4HB-MHCJ	260		索取报价

可替代IC编号

IC 编号	脚位/封装	电压(伏)	速度	温度规格
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D	WFBGA-200	1.1 V	3733 MBPS	-40 C~+105 C

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号	脚位/封装	电压(伏)	速度	温度规格
K4F6E3D4HB-MFCJ	WFBGA-200	1.1 V	1866 MHZ	-40 C~+95 C
K4F6E3D4HB-MHCJT2V	WFBGA-200	1.1 V	1866 MHZ	-40 C~+95 C