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| 制造商IC编号 | K4F6E3D4HB-MFCH |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | LPDDR4 MOBILE |
| IC代码 | 512MX32 LPDDR4 |
| 脚位/封装 | WFBGA-200 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.1 V |
| 温度规格 | -40 C~+95 C |
| 速度 | 3733 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 |
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4F6E3D4HB-MFCH | 0 | 索取报价 |
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| H9HCNNNBPUMLHR-NMN | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| IS46LQ32512A-053BLA1 | TFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MFCJ | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MHCJ | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MHCJ000 | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MHCJ02V | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| K4F6E3D4HB-MHCJT2V | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT53D512M32D2DS-053 AIT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |
| MT53D512M32D2DS-053AIT | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+95 C |