HY57V56420BT-H

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer	HY57V56420BT-H
Hersteller	SK HYNIX
Produktkategorie	SDRAM
IC-Code	64MX4 SD
Andere Bezeichnungen	HY57V56420BT-H(TSTDTS)
	HY57V56420BT-H-A
	HY57V56420BT-H-A D/C -04

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2
Verpackung	TRAY
RoHS	RoHS
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	0 C~+70 C
Geschwindigkeit	133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	64M
Bit Organization	x4
Density	256M
Package Material	normal
Interface	LVTTL
Hynix Memory	HY
No Of Banks	4 banks
Die Generation	3rd Gen.
Power Consumption	normal power
Shipping Method	tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
HY57V56420BT-H-A	11.693		Anfrage senden
HY57V56420BT-H-A	80.000		Anfrage senden
HY57V56420BT-H	10.000	2009+	Anfrage senden
HY57V56420BT-H-A	10.000		Anfrage senden
HY57V56420BT-H	45		Anfrage senden
HY57V56420BT-H	4.545		Anfrage senden
HY57V56420BT-H-A D/C -04	8.653		Anfrage senden
HY57V56420BT-H	3.108	2002+	Anfrage senden
HY57V56420BT-H	3.108	2007+	Anfrage senden
HY57V56420BT-H	45		Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
HY57V56420CT-H	TSOP2	3.3 V	133 MHZ	0 C~+70 C
HY57V56420CTP-H	TSOP2	3.3 V	133 MHZ	0 C~+70 C
HY57V56420HDT-H	TSOP2	3.3 V	133 MHZ	0 C~+70 C
HY57V56420HT-H	TSOP2	3.3 V	133 MHZ	0 C~+70 C
HY57V56420LT-H	TSOP2	3.3 V	133 MHZ	0 C~+70 C
HY57V56420T-H	TSOP2	3.3 V	133 MHZ	0 C~+70 C