HY57V56420BT-H

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer HY57V56420BT-H
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 64MX4 SD
Andere Bezeichnungen HY57V56420BT-H(TSTDTS)
HY57V56420BT-H-A
HY57V56420BT-H-A D/C -04

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x4
Density 256M
Package Material normal
Interface LVTTL
Hynix Memory HY
No Of Banks 4 banks
Die Generation 3rd Gen.
Power Consumption normal power
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
HY57V56420BT-H 20.000 2003+ Anfrage senden
HY57V56420BT-H 2.096 Anfrage senden
HY57V56420BT-H(TSTDTS) 960 Anfrage senden
HY57V56420BT-H 5.320 03+ Anfrage senden
HY57V56420BT-H 200 2002+ Anfrage senden
HY57V56420BT-H 200 2003+ Anfrage senden
HY57V56420BT-H-A 14.400 Anfrage senden
HY57V56420BT-H 11.520 Anfrage senden
HY57V56420BT-H 9.600 Anfrage senden
HY57V56420BT-H 5.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY57V56420CT-H TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
HY57V56420CTP-H TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
HY57V56420HDT-H TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
HY57V56420HT-H TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
HY57V56420LT-H TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
HY57V56420T-H TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C