HY57V641632HGT-P
Produktbeschreibung
| Gehäuse | TSOP2 |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 3.3 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+70 C |
| Geschwindigkeit | 100 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 4M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 64M |
| Package Material | normal |
| Hynix Memory | HY |
| Die Generation | 5th Gen. |
| No Of Banks | 8 banks |
| Power Consumption | normal power |
| Shipping Method | tray |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| HY57V641632HGT-P | 10.000 | 04+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| HY57V641632HGLT-P | TSOP2 | 3.3 V | 100 MHZ | 0 C~+70 C |